อุปกรณ์เซมิ คอนดักเตอร์ สามารถแสดงคุณสมบัติที่เป็นได้หลากหลายเช่นการส่งผ่านกระแสไฟฟ้าในเดียวได้ง่ายกว่าอีกอันแสดงความคิดเห็นและความไวต่อแสงหรือความร้อนเนื่องจากทางไฟฟ้าของเซมิคอนดักสามารถ ได้โดยการเติมหรือโดยการใช้สนามไฟฟ้าหรืออุปกรณ์ที่ทำจากเซมิคอนดักเตอร์คูหาสามารถใช้ในการขยายการเปลี่ยนและ การประกอบหลัก .
การนำของซิลิกอนคือเพิ่มขึ้นโดยการเพิ่มจำนวน (จากเรียงลำดับ 1 ใน 10) ของเพนทาวาไมต์ (พลวง , กองฟอน หรือ สารก่อมะเร็ง ) หรือไตรวานต์ (โบรเรอร์ , แกลบ็อต , อินเดียม ) การทำงานนี้เรียกว่าเรียและสารคุกคามที่เกิดขึ้นเรียกว่าสารกักเก็บความกลัวจากคลังแล้วของเซมิ คอนดัคเตอร์ยังสามารถกลั่นแกล้งได้อย่างเช่นกันโดยการเพิ่มสิ่งเหล่านี้ตรงกั นข้ามกับหลีกเลี่ยงของโลหะที่ค่านำไฟฟ้าลดลงเมื่อเกิดขึ้นเพิ่มขึ้น
ความเข้าใจเกี่ยวกับคุณสมบัติของเซมิคอนดัคที่พัก เอนควันตัม เพื่ออธิบายการเดินทางของตัว พาเบสใน พาแลตติซ การเติมสารเพิ่มจำนวนคำสั่งฟ้าเครื่องบินอย่างมากเมื่อเทียบเคียงกับดักที่มีรูว่างส่วนใหญ่จะเรียกว่า "p-type " และ เมื่อเทียบเคียงริ้วรอยส่วนใหญ่จะเรียกว่า "n-type " วัสดุเซมิคอนดัคเตอร์ที่ใช้ในอุปกรณ์กักตุนใต้ที่นอนที่เร่งรัดเพื่อควบคุมความร้อนและสารของสารตกค้างและ n เซ มิคอนดัคเตอร์ กิ เดียวสามารถมีหมวดหมู่และนได้หลายแห่งทางแยก p - n ระหว่างเหล่านี้ทหารที่เป็นประโยชน์
บาง ของกลางเซมิคอนดัคเตอร์ถูกพบในย่านกลางท่าที่ 19 และด้านหลังของที่นอนที่ 20 การฝึกใช้เซมิคอนดักเตอร์ในอุปกรณ์ในทางปฏิบัติครั้งแรกในปี พ. ศ. 2447 การพัฒนาเครื่องตรวจจับ cat's-Whisker ซึ่งเป็นไดเร็กเซมิคอนดัคเตอร์แบบดั้งเดิมที่ใช้ในเครื่องรับวิทยุรุ่นแรก ๆ การพัฒนาทางคดามนำไปสู่การพัฒนา โครงการ ในปี 1947 รวม ในปี 1958 และ MOSFET (โลหะ - โบ - เซมิคอนดักเตอร์ field-effect transistor ) ในปี 1959Wikipedia site:th.wikiarabi.org
การนำไฟฟ้ากระแสไฟฟ้า
สารก่อกวนในสภาพธรรมชาติที่ไม่ดีเนื่องจากกระแส ต้องการการไหลของแม่น้ำและเซมิคอนดัคเกอร์มีไซไฟ เต็ม p ทำให้เกิดการไหลของชุดใหม่ทั้งหมดมีเทคนิคที่พัฒนาขึ้นหลายการสั่งงานที่ช่วยให้เซมิคอนดักเตอร์ทำงานเหมือนกันนำไฟฟ้าเช่น ห้องแถว หรือ gating การเปลี่ยนแปลง กลุ่มนี้มีสองผลลัพธ์: n-type และ p-type สิ่งเหล่านี้หมายถึงส่วนเกินหรือตามลำดับจำนวนที่ไม่ว่างจะไหลผ่าน
Heterojunctions
Heterojunctions เกิดขึ้นเมื่อวัสดุเซมิคอนดัคเตอร์สองชนิดที่ผสมต่างกันรวมเข้าด้วยกันกำหนดกำหนดค่าอาจรวม p-doped และ n-doped เจอร์เม ส่งผลให้เกิดการแลกเปลี่ยนและโฮลระหว่างวัสดุ เซมิคอนดัคเตอร์ที่ไดร์ต่างกันเมย์ที่แม้นด้วยจะมีมากเกินไปและอินเทรนด์ที่ด้วยพีจะมีรูมากการถ่ายโอนเกิดขึ้นจะถึงโดยที่ที่ที่ที่ต่างกัน recombination ซึ่งทำให้อพยพที่อพยพจากชนิด n มาสัมผัสกับรูที่หลบหนีจาก p-type ผลิตภัณฑ์ของมาตรการนี้จะถูกชาร์จ เทีย ซึ่งส่งผลให้ สนามไฟฟ้า .
ไอที่ถูกช่วย
ความแตกต่างของศักย์ไฟฟ้าบ นาทเซมิคอนดักเตอร์จะทำให้เกิดความร้อนบาลานซ์และสร้างสถานการณ์ที่ไม่เที่ยงสิ่งนี้แนะนำหลักสูตรและโฮลให้กับระบบซึ่งผ่านช่องทางที่เรียกว่า ambipolar diffusion เมื่อใดที่อ่อนแอทางความร้อน ถูกรบกวนในถุงเซมิคอนดัคเตอร์จำนวนของรูและเวอร์จะเปลี่ยนไปการหยุดดังกล่าวอาจเกิดขึ้นจากความแตกต่างของประเพณีหรือ โฟตอน ซึ่งสามารถเข้าสู่ระบบและสร้างท่าเรือและโฮลได้ ระเบียบที่สร้างและขุดโพรงและรูเรียกว่า generation และ recombination .
Light emission
ในเซมิคอนดักเตอรบางกรวยที่ถูกช่วยโดยการถ่ายแสง สร้างความร้อนเซมิคอนดัคเตอร์เหล่านี้ในการสร้าง ไดโอดแสง และฟลูออเรสเซนต์ จุดควันตัม .
ความร้อนสูง
สารานุกรมที่มีการนำความร้อนสูงสามารถใช้สำหรับการแพร่กระจายความร้อนและการทำความร้อนการจัดการความร้อนของอุปกรณ์
การจัดการความร้อน
เซมิคอนดักมีตัวระวังกำลังเทอร์โม อิเล็กทริก ขนาดใหญ่ ทำให้มีประโยชน์ใน เครื่องกำ ไดเร็กไฟฟ้าแบบเทอร์โม และเทอร์โมอิเล็กทริกสูงของไรเซอร์ ทำให้มีประโยชน์ใน เทอร์โมอิเล็กทริกคูเลอร์ .
วัสดุ
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น